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汽车存储器的种类和功能是什么

发布时间: 2024-01-07 01:11:31 |   作者: 工程案例

  2023年汽车存储器市场规模大约60亿美元,也是存储器市场唯一亮点,唯一增长点。汽车智能化、电动化推动汽车存储器市场强劲增长,预计到2028年市场规模达到100亿美元。

  汽车存储很重要,特斯拉Model S曾用过非车规级的存储,即SK hynix的H26M42003GMRA,是2014年的老产品了。频繁的OTA和高温导致其失效,最后导致频繁死机黑屏,这种故障无法通过OTA解决,必须拆开车机,取下芯片,更换车规级芯片才能解决。不用说,这个处理方法成本极高。

  汽车里每个SoC和高端MCU都需要存储器配合,用量最大的是座舱SoC和智能驾驶SoC,其次是T-Box和仪表,再次是网关和底盘。   存储器大致上可以分为三类:

  我们以上图中的上汽飞凡R7智能驾驶域控制器为例来研究汽车存储,中间的大芯片就是in-X,外围4片美光的LPDDR5内存,型号MT62F1G64D8EK-031 AAT:B,容量8GB,速率6400MB/s,x64位宽,这是美光的新产品。一片美光的eMMC,代号为JWD65,型号为MTFC32GASAQHD-AAT,容量为32GB,时钟频率200MHz,速度比较慢,应该主要存放启动根目录文件。一片美光的UFS,代号HSA06,型号 MTFC256GAVATTC-AAT,是UFS3.1版本,容量256GB,应该主要是存放智能驾驶感知模型和决策模型以及相关文件的,这个容量是理想双Orin无人驾驶控制器的两倍。在JWD65右边还有一颗用于启动的串行Flash,型号MX25U51279,容量512Mb,由中国台湾旺宏提供。另一侧也有串行Flash,型号为MX78U64A00FXDR02,容量也是512Mb,也是由旺宏提供。

  上图是日产最新的座舱芯片,日系车一向以电子架构落后而著称,日系车落后国产车约10-20年,原因其一是日系车供应链捆绑得很紧,没有动力升级,二是节省本金。日产这款座舱使用了极为罕见的DDR3内存,这是2002年的标准了,距今已超过20年了,基本上没有厂家生产了。但日系车仍然在用,DDR3内存是中国台湾地区的钰创供应的,钰创是罕见的内存设计企业,自己设计内存再委托华邦晶圆厂代工,型号为EM6HE16EWAKG-10H,容量为每片4Gb,也就是仅有0.5GB,估计制造工艺是350纳米,而现在3纳米的芯片都要量产了。同时日产还使用了一片同步芯片,同样极其古老,还是由钰创提供,容量仅16Mb,体积硕大,可能是1000纳米制造工艺,也有20年以上的历史。eMMC方面则用了国产的江波龙,容量8GB。在PCB板背面,还有一颗存储,是中国台湾地区晶豪科技企业来提供的Bootloader Flash,型号EM29LV320A,容量只有48Mb,体积硕大。

  美光垄断了高端市场,车载领域超过1GB的DRAM市场90%都被美光收入囊中,一来是这一个市场比较小,PC领域的市场规模是其10倍以上,三星和SK Hynix对该市场很少关注。二来美光和高通、英伟达乃至瑞萨这些SoC企业会提供定制服务,这些SoC会指定用美光的存储。只有韩系车少量使用三星的大容量DRAM。

  每次运算的时候,CPU发出指令,权重模型从UFS中被取出暂存在DRAM中,如果有显存的话,就放在显存里,通常显存比共享DRAM带宽要高得多,这样每次运算就无需从UFS中取出,这也是DRAM和显存存在的意义,它的速度比UFS快太多了。

  存储行业的标准由JEDEC把持,JEDEC 固态技术协会是微电子产业的领导标准机构。在过去50余年间,JEDEC所制定的标准为全行业所接受和采纳。作为一个全球性组织,JEDEC的会员构成是跨国性的。JEDEC不隶属于任何一个国家或政府实体。JEDEC的标准制定程序使生产商与供应商齐聚一堂,通过50个委员会和分委员会来完成制定标准的使命,以满足多样化的产业高质量发展与技术需要。JEDEC拥有近300家会员公司,包括业内几乎所有前100家公司。在JEDEC的投票程序中,一个企业,无论其公司规模及影响力大小,只有一票投票权。标准只有在委员会三分之二多数投票通过时才能采纳。所有标准最终都由理事会投票批准;批准需要75%的多数票赞成。

  不过JEDEC的标准还要花点小钱才能看到,比如LPDDR4X的标准需要花106美元,LPDDR5X的标准要459美元。当然了这是几百页的详细标准,普通人无需知道这么详细的标准。

  目前最新的移动DRAM标准是LPDDR5X,是2021年6月底发布的。LPDDR4/LPDDR4X因为不支持Bank Grouping (组块),因此价格比LPDDR5还高,同时LPDDR4/LPDDR4X是双通道的,带宽比LPDDR5还高。LPDDR4X与LPDDR4的不同之处在于Vddq,Vddq是DRAM I/O缓冲的电压,基本上与核心电压VDD合二为一了,电压越低意味着可以有更快的速率和更低的功耗。为了缓解LPDDR5带宽还不如LPDDR4的尴尬,LPDDR5X出现了,它与LPDDR5最大区别就是速率提高到8533Mbps,追平LPDDR4(LPDDR4是双通道),理论最高带宽从51.2GB/s提升至68.26GB/s。同时它是可变电压,最低可到0.5伏,最高1.1伏,功耗降低约20%,对手机挺合适的,小米13也是全球第一个使用LPDDR5X的机型,不过对车载领域就无所谓了,这点功耗微不足道。目前也没有车规级的LPDDR5X产品问世,鉴于LPDDR5X提升有限,已经有人抢跑了,SK Hynix已经推出LPDDR5T,最高速率9600Mbps,比LPDDR5提升13%,LPDDR5T就是未来的LPDDR6。

  GDDR本来是用在显卡上的,但由于AI持续进化,Transformer流行于汽车行业,对存力需求越来越强,于是特斯拉第一个使用GDDR6,但目前还没有车规级GDDR6产品。

  目前已经有了GDDR6X。鉴于GDDR的重要性,三星不甘心让美光持续领先,三星在今年7月宣布内部已完成GDDR7的内部开发,2024年初就可以出货,实际GDDR7的标准还未确定。

  三星对GDDR6也做了小幅度改动,改动后理论最高带宽从672GB/s提高到768GB/s,上表中有一个地方错了,256bit应该是384bit。GDDR7则达到1TB/s,逼近昂贵的HBM了。

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  上与最新的 C64x+ 和C67x 系列 DSP 系列 C64x+&

  和移动等广泛应用中尽可能快速可靠地为主机(CPU 或 GPU)提供必要的数据或指令。片上系统 (SoC) 设计人能选择多

  (DRAM)。 1963年,Fairchild发明了SRAM。作为即1959年I

  系统程序,具有开机自检、键盘输入处理、用户程序翻译、信息传输、工作模式选择等

  。当信息被读出时,内存中的内容保持不变;写入时,新写入的信息会覆盖原始内容。

  )进行介绍,最后详细的介绍了8051的片内RAM(256 Bytes)的工作寄存

  区(32 Bytes)、位寻址区(16 Bytes)、用户RAM区(80 Bytes)和特殊

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